レジストパターンの形成方法及びこれを用いた金属パターンの形成方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-188877
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031733
出願日： 1994年07月19日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】蒸着バンプ形成用に好適なフォトレジストパターンとこれを利用したリフトオフプロセスを提供する。【構成】下層にはアルカリ可溶性の高分子材料を用い、上層には(A)(a)不飽和カルボン酸と、(b)エポキシ基を有するラジカル重合性化合物と、(c)他のラジカル重合性化合物、との共重合体、(B)少なくとも1個のエチレン性不飽和二重結合を有する重合性化合物、(C)光重合開始剤、を含有するアルカリ現像性ネガ型フォトレジスト組成物を用いた2層レジスト層を用いてレジストパターンを形成する。さらに金属を蒸着後、残存するレジスト層をその上にある不要な金属層と共にリフトオフして金属パターンを形成する。

請求項（抜粋）：

下層にはアルカリ可溶性の高分子材料、上層には(A)(a)不飽和カルボン酸、(b)エポキシ基を有するラジカル重合性化合物、及び(c)他のラジカル重合性化合物、とからなる共重合体、(B)少なくとも1個のエチレン性不飽和二重結合を有する重合性化合物、及び(C)光重合開始剤、を含有するアルカリ現像性ネガ型フォトレジスト組成物を用いることを特徴とする2層レジストによるレジストパターンの形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 , G03F 7/26 511 , G03F 7/26 513 , H01L 21/321

FI (3件)：

H01L 21/30 561 , H01L 21/30 569 F , H01L 21/92 F

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