特許
J-GLOBAL ID：200903028817641030
磁気メモリおよびその方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-326133
公開番号（公開出願番号）：特開平9-204770
出願日： 1996年11月21日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：
【要約】【課題】 電力消費が少なく、特定のメモリ・セルの読み出しまたは書き込みを行うときに隣接するメモリ・セルに影響を与えず、メモリ・セル間に大きな距離を必要としない磁気メモリを提供する。【解決手段】 磁気メモリは磁性体を利用して、磁場を磁気メモリ・セル素子内に集中させる。磁性体は、磁気メモリに書き込みおよび読み出しを行うために必要な電流量を減少させる効果がある。
請求項（抜粋）：
磁気メモリ(10,25,30,35,40)の形成方法であって:磁気メモリ・セル素子(14)を覆うように導体(12)を形成する段階;および前記導体(12)が発生する磁場を、前記導体(12)の一部から遠ざけ、前記メモリ・セル素子(14)に向かって集中させ、前記磁場を前記磁気メモリ・セル素子(14)内に延在させる段階;から成ることを特徴とする方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 11/14 F
, H01L 43/08 Z
