特許

J-GLOBAL ID：200903028819463023

配線形成方法

発明者： 菅野 幸保
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-265512
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082469
出願日： 1991年09月18日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：

【要約】【目的】 バリヤメタル構造を有するコンタクト部において、実用的な抵抗値を維持しながら上層配線の下層配線側への突き抜けを防止する。【構成】 SiO2 層間絶縁膜3に開口されたコンタクト・ホール4を、Ti層5とTiOx Ny 層6からなるバリヤメタル7で被覆した後、Al-1%Si層8を成膜する。TiOx Ny 層6のAl-1%Si層8に対する濡れ性が低いために、コンタクト・ホール4は完全に埋め込まれず、内部に空洞部9が形成される。しかし、抵抗率の低いTi層5のみを考慮してコンタクト部の抵抗を計算すると、実用上十分に低い値に抑えられている。しかも、コンタクト・ホール4の底面にAl-1%Si層8が接触していないため、シリコン基板1内の不純物拡散領域2へのAlスパイクは本質的に発生しない。

請求項（抜粋）：

下層配線材料層に臨んで接続孔が開口されてなる絶縁膜上に該接続孔の側壁面と底面とを被覆するごとくバリヤメタルを形成する工程と、前記バリヤメタル上に前記接続孔の少なくとも底部に空洞部を残すごとく上層配線材料層を形成する工程とを有することを特徴とする配線形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/90 ,  H01L 29/44