特許
J-GLOBAL ID:200903028830456969

高電力モノリシックマイクロ波集積回路パッケージ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 志賀 正武 (外7名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-382308
公開番号(公開出願番号):特開2003-086726
出願日: 2001年12月14日
公開日(公表日): 2003年03月20日
要約:
【要約】【課題】 寄生容量及び寄生コンダクタンスを低減するMMICパッケージを提供することである。【解決手段】 モノリシックマイクロ波集積回路(MMIC)パッケージはMMICダイとヒートシンクと絶縁体基板とシール材料とを備え、ヒートシンクは活性領域に配置し、複数のボンディングパッドが周縁領域に配置し、絶縁体基板が開口と複数の出入りポートとを有し、開口がヒートシンクを含むように用いられかつ出入りポートがボンディングパッドに電気的に接続され、シール材料は、MMICダイが絶縁体基板に固定され、保護されるように、絶縁体基板とMMICダイとの間を充填してMMICダイを覆うことを特徴とする。
請求項(抜粋):
活性領域と複数のボンディングパッドが配置する周縁領域とを有するMMICダイと;活性領域に配置するヒートシンクと;開口と複数の出入りポートとを有する絶縁体基板であって、開口がヒートシンクを含むように用いられかつ出入りポートがボンディングパッドに電気的に接続されている絶縁体基板と;MMICダイが絶縁体基板に固定され保護されるように、絶縁体基板とMMICダイとの間を充填されててMMICダイ全体を覆うシール材料と;を備えたモノリシックマイクロ波集積回路(MMIC)パッケージ。
IPC (3件):
H01L 23/12 301 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/12 501
FI (3件):
H01L 23/12 301 C ,  H01L 23/12 501 T ,  H01L 23/12 J

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