石英系ガラス導波路の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小山田光夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-157277
公開番号（公開出願番号）：特開平10-311922
出願日： 1997年05月13日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】光フィルタ,光スイッチ,分散補償回路等を効率良く実現させるため、導波路のコアークラッド界面を良好に作成でき、伝播損失の低減が容易に可能とする。【解決手段】 SiO2あるいはSi基板8上にクラッド層9を成膜する第1工程、上記クラッド層上に高屈折率のコア膜10を成膜する第2工程、コア膜上にWSi膜11を成膜する第3工程、WSi膜をフォトリソグラフィ,ドライエッチングによりWSiマスクパターンを形成する第4工程、コア膜をWSiマスクパターン12を用いて第一のドライエッチングによりコアパターン13を形成する第5工程、WSiマスクパターンを第二のドライエッチングにより取り除く第6工程、各工程を経た基板全体を第三のドライエッチングによりエッチング行う第7工程、エッチングした基板表面全体に低屈折率のクラッド層14を形成する第8工程で構成する。

請求項（抜粋）：

SiO2あるいはSi基板上にクラッド層を成膜する第1工程、上記クラッド層上に高屈折率のコア膜を成膜する第2工程、このコア膜上にWSi膜を成膜する第3工程、このWSi膜をフォトリソグラフィ,ドライエッチングによりWSiマスクパターンを形成する第4工程、上記コア膜をWSiマスクパターンを用いて第一のドライエッチングによりコアパターンを形成する第5工程、このWSiマスクパターンを第二のドライエッチングにより取り除く第6工程、上記各工程を経た基板全体を第三のドライエッチングによりエッチング行う第7工程、最後に上記のエッチングした基板表面全体に低屈折率のクラッド層を形成する第8工程とからなる石英系ガラス導波路の製造方法。

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