特許

J-GLOBAL ID：200903028837248318

半導体素子の過熱保護装置

発明者： 加藤 昌史
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-278737
公開番号（公開出願番号）：特開平7-135731
出願日： 1993年11月09日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：

【要約】【目的】使用条件の規定が困難な半導体電力変換装置において、半導体素子を熱破壊から保護するための過度の安全設計による半導体電力変換装置の大型化、高価格を防止する。【構成】半導体素子に流れる電流を電流測定手段101 で、電圧を電圧測定手段102 で、ケース温度をケース温度測定手段103 で測定する。そして、演算手段1を、測定された電流値と電圧値から半導体素子の損失を演算する損失演算手段11、この損失を基にジャンクション温度とケースとの温度差飽和値を演算する温度差飽和値演算手段12、温度差飽和値から過渡温度差を演算する過渡温度差演算手段13、ケース温度と過渡温度差とを加算してジャンクション温度を求める加算器14で構成することによって、ジャンクション温度Tj を正確に求めることができるので保護手段2による確実な過熱保護が可能になる。そのため過度の安全設計をする必要がなくなる。

請求項（抜粋）：

測定値及び設定値を基に半導体素子のジャンクション温度Tjを演算で求める演算手段と、ジャンクション温度Tj が所定の値を越えるかどうかを判定し、越えると判定されたとき半導体素子を保護する動作を行う保護手段とからなることを特徴とする半導体素子の過熱保護装置。

IPC (7件)：

H02H 7/12 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H02H 7/122 ,  H02M 1/00 ,  H02M 3/10 ,  H02M 7/48