特許
J-GLOBAL ID：200903028837886870
窒化ガリウム系化合物半導体層のエッチング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-005211
公開番号（公開出願番号）：特開2003-224300
出願日： 1990年05月30日
公開日（公表日）： 2003年08月08日
要約：
【要約】【課題】エッチングの容易化。【解決手段】AlxGa1-xN(0≦X≦1)半導体のドライエッチング法であって、AlxGa1-xN(0≦X≦1)半導体上のエッチングすべき箇所にフォトレジストを形成する工程と、AlxGa1-xN(0≦X≦1)半導体上及び形成されたフォトレジストの上に二酸化珪素(SiO2)膜を形成する工程と、形成された二酸化珪素(SiO2)膜の上に、さらに、酸化アルミニウム(Al2O3 ) 膜を形成する工程と、フォトレジスを剥離液により除去することで、フォトレジストの形成された位置に窓の形成された二酸化珪素(SiO2)膜と酸化アルミニウム(Al2O3 ) 膜からなるパターン化されたマスクを形成する工程と、マスクにより窓のAlxGa1-xN(0≦X≦1)半導体をドライエッチングすることを特徴とする半導体のドライエッチング方法。
請求項（抜粋）：
シリコンを添加した窒化ガリウム系化合物半導体(AlxGa1-XN,0≦X≦1)層からなる高キャリア濃度n+層の結晶成長を行う工程と、前記高キャリア濃度n+層より低濃度の窒化ガリウム系化合物半導体(AlxGa1-XN, 0≦X≦1)層からなる低キャリア濃度n層の結晶成長を行う工程と、前記高キャリア濃度n+層及び前記低キャリア濃度n層のエッチングすべき箇所の上方にフォトレジストを設ける工程と、前記高キャリア濃度n+層及び前記低キャリア濃度n層の上方並びに前記フォトレジストの直上からエッチングマスクを堆積する工程と、前記フォトレジストを除去することで、エッチングすべき箇所のみが除去されて窓が形成されたエッチングマスクを形成する工程と、前記エッチングマスクにより前記窓部を前記高キャリア濃度n+層までドライエッチングする工程とを備えることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体層のエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 21/205
, H01L 21/3065
H01L 33/00 C
, H01L 21/205
, H01L 21/302 104 Z
5F004AA16
, 5F004BA09
, 5F004BB13
, 5F004BB18
, 5F004CA06
, 5F004DA11
, 5F004DA23
, 5F004DB19
, 5F004EA03
, 5F004EA06
, 5F004EA28
, 5F041CA40
, 5F041CA74
, 5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AC08
, 5F045AC09
, 5F045AC12
, 5F045AC19
, 5F045AD08
, 5F045AD10
, 5F045AD12
, 5F045AD14
