特許
J-GLOBAL ID：200903028841519636
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-210652
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064174
出願日： 1995年08月18日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置のコンタクトホール内の平坦化を図り、またはアスベスト比を提言することにより、断線不良の生じない配線構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 第1エッチング液を用いて、コンタクトホール内表面の洗浄を行なうとともに、第2層間絶縁膜8の表面を第1層間絶縁膜7の表面よりも後退させる工程と、第2層間絶縁膜8の表面を後退させた後に、第2エッチング液を用いて、コンタクトホール10内の第1層間絶縁膜7の表面を第2層間絶縁膜8の表面と面一とする工程とを備えている。
請求項（抜粋）：
半導体基板の主表面に第1層間絶縁膜と第2層間絶縁膜とを有し、前記第1層間絶縁膜と前記第2層間絶縁膜とに、前記半導体基板の前記主表面の所定の領域に通ずるコンタクトホールを形成する半導体装置の製造方法であって、前記第1層間絶縁膜と前記第2層間絶縁膜とにコンタクトホールを開口する工程と、第1エッチング液を用いて、前記コンタクトホール内表面の洗浄を行なうとともに、前記第1層間絶縁膜の表面を前記第2層間絶縁膜の表面よりも後退させる工程と、前記第1層間絶縁膜の表面を後退させた後に、第2エッチング液を用いて、前記コンタクトホール内の第2層間絶縁膜の表面を前記第1層間絶縁膜の表面と面一とする工程と、を備えた、半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/768
, H01L 21/306
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L 21/90 C
, H01L 21/306 F
, H01L 29/78 301 Y
