特許

J-GLOBAL ID：200903028849431916

プログラム化可能なオフセット電流を有する光検知装置

発明者： ザイツ ペーター ,  ヴィーツェ オリーヴァー
出願人/特許権者： ライカ アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 伊藤 武久 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-510850
公開番号（公開出願番号）：特表平11-512244
出願日： 1996年09月03日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：

【要約】プログラム化可能なダイナミクスを有する光電的な半導体光検知装置が記載されている。当該半導体光検知装置は、光電的な半導体フォトエレメント、好ましくはフォトダイオードを有する。当該フォトダイオードによって、ぶつかる光強度が、比例した光電流に変換可能である。対応するチャンネルタイプの、飽和状態で作動させられる第一のMOS型電界効果トランジスタのドレインが、前記半導体フォトエレメントと、すなわち前記フォトダイオードのカソードまたはアノードと接続されており、且つそのソースが、一定ポテンシャルに保持されている。第二のMOS型電界効果トランジスタが、予め定められた可変の電荷量を第一のMOS型電界効果トランジスタのゲートに与える。第一のMOS型電界効果トランジスタのゲートには、キャパシターが設けられている。インテグレーション装置によって、オフセット電流と光電流との差がインテグレート可能である。第三のMOS型電界効果トランジスタがスイッチとして作動可能である。第三のMOS型電界効果トランジスタによって前記インテグレーション装置が読み取られ、且つ再び所定値にリセットされる。

請求項（抜粋）：

プログラム化可能なオフセット信号による高いダイナミクスを有する光電的な半導体光検知装置にして、半導体フォトエレメントを有し、当該半導体フォトエレメントによってそれに当たる光強度を比例した光電流に変換し得る半導体光検知装置において、 ドレインが前記半導体フォトエレメント(1)と連結されており且つソースが一定のポテンシャルViに保たれている、対応したチャンネルタイプの、飽和して作動させられる第一のMOS型電界効果トランジスタ(2)と、 予め定められた変化させられ得る電荷量を前記第一のMOS型電界効果トランジスタ(2)のゲートに与えることができる第二のMOS型電界効果トランジスタ(5)と、 前記第一のMOS型電界効果トランジスタ(2)のゲート(3)に設けられたキャパシター(4)と、 オフセット電流と光電流との差をインテグレート可能なインテグレーション装置と、 前記インテグレーション装置を読み取ることが可能であり且つ再び指定された値にリセットすることが可能である、スイッチとして作動させられ得る第三のMOS型電界効果トランジスタ(8)と、を特徴とする半導体光検知装置。