特許
J-GLOBAL ID：200903028854600432
ガンダイオード及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-184433
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015827
出願日： 1999年06月29日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：
【要約】【課題】 ガンダイオードを形成するガリウム砒素基板を研磨しなければならず、生産性と歩留まりが低下し、また高価なダイヤモンドヒートシンクを用いなければならず、さらにカソード電極とアノード電極を別々の工程で形成しなければならないという問題があった。【解決手段】 ゲルマニウム基板1上に、第一のn+ 型ガリウム砒素層3を設け、この第一のn+ 型ガリウム砒素層3上に、この第一のn+ 型ガリウム砒素層3が露出するようにn型ガリウム砒素層4、第二のn+ 型ガリウム砒素層5を積層して設け、前記第一のn+ 型ガリウム砒素層3の露出部分にアノード電極7を接続して設けると共に、第二のn+ 型ガリウム砒素層5上にカソード電極6を接続して設ける。
請求項（抜粋）：
ゲルマニウム基板上に、第一のn+ 型ガリウム砒素層を設け、この第一のn+ 型ガリウム砒素層上に、この第一のn+ 型ガリウム砒素層が露出するようにn型ガリウム砒素層、第二のn+ 型ガリウム砒素層を積層して設け、前記第一のn+ 型ガリウム砒素層の露出部分にアノード電極を接続して設けると共に、第二のn+ 型ガリウム砒素層上にカソード電極を接続して設けたガンダイオード。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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