特許
J-GLOBAL ID:200903028859468788

アモルファスシリコン感光体及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-034914
公開番号(公開出願番号):特開平5-232730
出願日: 1992年02月21日
公開日(公表日): 1993年09月10日
要約:
【要約】【目的】 本発明の目的は、LBPあるいは複写機用感光体としての使用が期待されるa-Si感光体の製造過程において、基板上の自然酸化膜を短時間で除去する行程を有し、電子写真特性(帯電能、暗減衰率)の優れたa-Si感光体を作製することである。【構成】 a-Si感光体の製造過程において、成膜の前処理として窒素プラズマクリーニングを行うことにより、支持体5上の自然酸化膜を完全に除去する。その結果、電子写真特性(帯電能、暗減衰率)の優れたa-Si感光体が得られる。更にプラズマ処理時間の短縮、膜剥離防止による生産性の向上が図れる。
請求項(抜粋):
ケイ素を母体とする非晶質材料からなる複数層を、SiH4、H2、N2、B2H6を原料ガスを用いてグロー放電により基板上に成膜するアモルファスシリコン感光体の製造過程において、成膜の前処理時に前記基板を窒素ガス雰囲気中でプラズマにさらして基板表面を清浄化することを特徴とするアモルファスシリコン感光体の製造方法。
IPC (3件):
G03G 5/08 105 ,  G03G 5/08 350 ,  G03G 5/08 360

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