特許

J-GLOBAL ID：200903028869245710

多層ガラスセラミック基板およびその製造方法

発明者： 生稲 一洋 ,  木村 光
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 舘野 千惠子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-163786
公開番号（公開出願番号）：特開平6-345530
出願日： 1993年06月10日
公開日（公表日）： 1994年12月20日
要約：

【要約】【目的】 1000°C以下の低温で、しかも酸化性ばかりでなく中性および還元雰囲気でも焼成でき、誘電率の低い機械的強度の優れた多層ガラスセラミック基板を提供する。【構成】 ムライト,石英ガラス,α-石英およびコーディエライトの中から選ばれる少なくとも1種の粉末10〜30重量%と、有機アルミネートコーティングしたホウケイ酸系ガラス粉末70〜90重量%よりなる原料粉末を用いてガラスセラミック層を製造する。

請求項（抜粋）：

ガラスセラミック層が、?@アルミナ、?Aムライト,石英ガラス,α-石英およびコーディエライトの中から選ばれる少なくとも1種、?Bホウケイ酸系ガラス、および?Cアノーサイト結晶からなる無機組成物であって、該組成物は、アルミナ12〜59.6重量%、ムライト,石英ガラス,α-石英およびコーディエライトの中から選ばれる少なくとも1種10〜30重量%、ホウケイ酸系ガラス18〜69.6重量%、アノーサイト結晶1〜40重量%の組成範囲で総量100%になるように構成され、複数の導体層を上記ガラスセラミック層を介して積層したことを特徴とする多層ガラスセラミック基板。

IPC (6件)：

C04B 35/16 ,  C04B 35/10 ,  C04B 35/18 ,  H05K 1/03 ,  H05K 1/05 ,  H05K 3/46