特許

J-GLOBAL ID：200903028871341378

光磁気記録媒体および光磁気記録方法

発明者： 越野 長明 ,  橋本 康宣 ,  田中 努 ,  三原 基伸 ,  北出 康博
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-178048
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036139
出願日： 1991年07月18日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 記録磁場を必要とせず、オーバーライトが可能な光磁気記録方法。【構成】 多層構造の光磁気記録媒体において、基板1 上に第1層のメモリ層、第2層の記録層、第3層の記録補助層、第4層のバイアス層から成り、第1、第2、第4層は膜面に対して垂直な磁気異方性を有する垂直磁化膜とし、第3層は第1、第2、第4層より磁気異方性の小さい磁性膜とし、第1、第2、3層は室温以下に補償温度を有するか、補償温度を有しない磁性膜とし、第4層は室温以上の補償温度を有する磁性膜とし、第3層と第4層の間には強い交換結合力が働かないようにし、各層の保磁力をH<SB>C21 </SB>、H<SB>C22 </SB>、H<SB>C23 </SB>、H<SB>C24</SB>とし、各層のキュリー温度をT<SB>C21 </SB>、T<SB>C22 </SB>、T<SB>C23 </SB>、T<SB>C24 </SB>とし、第4層24の補償温度をT<SB>comp</SB>とした時、室温で以下の関係を有する光磁気記録媒体。H<SB>C21 </SB>>H<SB>C22 </SB>、H<SB>C23 </SB>>H<SB>C24 </SB>, T<SB>C21 </SB><T<SB>C22 </SB><T<SB>comp</SB><T<SB>C23 </SB>、T<SB></SB><SB>C24 </SB>

請求項（抜粋）：

光ビームの強度を変調することによって、情報をオーバーライト可能とすることができる多層構造の光磁気記録媒体において、基板(1) 上に記録再生ビームの入射方向より見て、第1層のメモリ層(21)、第2層の記録層(22)、第3層の記録補助層(23)、第4層のバイアス層(24)から成り、前記第1、第2、第4層の各層(21,22,24)は膜面に対して垂直な磁気異方性を有する垂直磁化膜とし、前記第3層(23)は前記第1、第2、第4層より磁気異方性の小さい磁性膜とし、前記第1、第2、3層(21,22,23)は室温以下に補償温度を有するか、或いは補償温度を有しない磁性膜とし、前記第4層(24)は室温以上の補償温度を有する磁性膜とし、前記第3層(23)と第4層(24)の間には強い交換結合力が働かないようにし、前記第1、第2、第3および第4層(21,22,23,24) の各層の保磁力をH<SB>C21 </SB>、H<SB>C22 </SB>、H<SB>C23 </SB>、H<SB>C24 </SB>とし、前記第1、第2、第3および第4層(21,22,23,24) の各層のキュリー温度をT<SB></SB><SB>C21 </SB>、T<SB>C22 </SB>、T<SB>C23 </SB>、T<SB>C24 </SB>とし、第4層(24)の補償温度をT<SB>comp</SB>とした時、室温で以下の関係を有することを特徴とする光磁気記録媒体。H<SB>C21 </SB>>H<SB>C22 </SB>、H<SB>C23 </SB>>H<SB>C24</SB>T<SB>C21 </SB><T<SB>C22 </SB><T<SB>comp</SB><T<SB>C23</SB>、T<SB>C24 </SB>