特許

J-GLOBAL ID：200903028871704357

厚膜・薄膜混成多層配線基板のパターン形成方法

発明者： 菅野 憲一 ,  志儀 英孝
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-115630
公開番号（公開出願番号）：特開平6-334346
出願日： 1993年05月18日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】 厚膜配線基板部の収縮率のばらつきに起因する接続不良を防止し、かつ高密度で量産性に優れた経済的な厚膜・薄膜混成多層配線基板のパターン形成方法を提供する。【構成】 LSIを実装するモジュール対応の多層配線基板であって、厚膜配線基板部10と薄膜配線基板部20とからなり、厚膜配線基板部10と薄膜配線基板部20との界面に各回路間の位置ずれを吸収するための整合層30が設けられた構成となっている。そして、厚膜配線基板部10の表面は、4つのブロック40a〜40dに分割されており、各ブロック40a〜40dの中に、それぞれ整合層の整合パッド31a〜31dを分割露光して形成するためのブロック露光用位置合わせマーク50a〜50dと、薄膜バイアホール23a〜23dを一括露光して形成するための一括露光用位置合わせマーク60とが形成されている。

請求項（抜粋）：

厚膜配線基板部と薄膜配線基板部とからなり、前記厚膜配線基板部の厚膜配線回路と前記薄膜配線基板部の薄膜配線回路との界面に各回路間の位置ずれを吸収するために整合層を設ける厚膜・薄膜混成多層配線基板であって、前記厚膜配線回路の形成後に整合層を形成する場合に、前記厚膜配線基板部の表面を小ブロックに分割し、該小ブロックに分割された各ブロック毎に露光して前記整合層を形成し、その後の前記薄膜配線回路の形成は前記薄膜配線基板部の全面を一括露光して形成することを特徴とする厚膜・薄膜混成多層配線基板のパターン形成方法。

IPC (3件)：

H05K 3/46 ,  H01L 21/027 ,  H01L 23/12

FI (2件)：

H01L 21/30 301 C ,  H01L 23/12 N