特許

J-GLOBAL ID：200903028873476475

半導体レーザ素子及び半導体レーザ装置

発明者： 中村 康弘
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立東部セミコンダクタ株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-246186
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097583
出願日： 1992年09月16日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】 半導体レーザ装置の組立プロセスにおいて、半田に起因する電極間の短絡を防止し、歩留まりを高める。【構成】半導体基板2の主面に分離領域で互いに分離された複数の半導体レーザ部3がアレイ状に配置され、この複数の半導体レーザ部の夫々の主面上に複数の電極10の夫々が夫々毎に配置された半導体レーザ素子1がサブマウント20Aの素子塔載領域27上に塔載され、前記素子塔載領域上に分離領域で互いに分離されて配置された複数の電極22Aの夫々に半田層24を介在して前記半導体レーザ素子の複数の電極の夫々が夫々毎に接続され、これらがベース基板31及び封止用キャップ39で形成されるキャビティ内に気密封止される半導体レーザ装置30において、前記半導体レーザ素子の隣接する半導体レーザ部間の分離領域若しくは前記サブマウントの隣接する電極間の分離領域に、前記半導体レーザ部の延在方向に沿って突状の障壁部8を設ける。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主面に分離領域で互いに分離された複数の半導体レーザ部がアレイ状に配置され、この複数の半導体レーザ部の夫々の主面上に複数の電極の夫々が夫々毎に配置された半導体レーザ素子において、前記隣接する半導体レーザ部間の分離領域に、この半導体レーザ部の延在方向に沿って突状の障壁部を設けたことを特徴とする半導体レーザ素子。