特許
J-GLOBAL ID：200903028875403890
配線構造及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-330074
公開番号（公開出願番号）：特開平11-158609
出願日： 1997年12月01日
公開日（公表日）： 1999年06月15日
要約：
【要約】【課題】 ITO膜上にNb膜を形成する場合に、十分な密着性を得ることが可能なNb膜の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 ガラス基板1上に形成された膜厚1000Å程度のITO膜2上に、200ÅのNbN膜3aと4500ÅのNb膜3bのNb/NbN配線が形成されている。NbN膜中の窒素濃度が30at%以上で且つNbN膜の膜厚が200Å以上であればITO膜との密着力を実用上十分な程度に向上させることができる。
請求項（抜粋）：
基板上に形成されるITO膜と、該ITO膜上に形成されるNbN膜と、該NbN膜上に形成されるNb膜を備えることを特徴とする配線構造。
IPC (6件)：
C23C 14/18
, G02F 1/1343
, G02F 1/136 510
, H01L 21/3205
, H01L 29/786
, H05K 1/09
C23C 14/18
, G02F 1/1343
, G02F 1/136 510
, H05K 1/09 C
, H01L 21/88 M
, H01L 29/78 612 C
