特許
J-GLOBAL ID：200903028877808383
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-287893
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142350
出願日： 1993年11月17日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：
【要約】【目的】層間膜の平坦化のためのブロックレジストを自己整合的に形成することにより反転マスクを不用とする。【構成】酸化シリコン膜(層間膜)4の上にフォトレジスト膜5を塗布し、全面にストライプを並べた縞状のマスクを用い酸化シリコン膜4の標高の低い領域に焦点を合わせて露光・現像し、この標高の低い領域にのみパターニングされたフォトレジスト膜5aを形成した後フォトレジスト膜6を塗布してエッチバックし上面を平坦化する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成した絶縁膜の上に選択的に配線を形成した後前記配線を含む表面に層間絶縁膜を前記配線の厚さよりも厚く堆積する工程と、前記層間絶縁膜の上にポジ型の第1のフォトレジスト膜を塗布した後全面にストライプ状パターンを並べたマスクを用い前記層間絶縁膜の標高の低い領域に焦点を合わせて露光・現像して前記層間絶縁膜の標高の低い領域上にのみ第1のフォトレジスト膜のストライプパターンを形成する工程と、前記第1のフォトレジスト膜を含む表面に第2のフォトレジスト膜を塗布して表面を平坦化した後前記層間絶縁膜の標高の低い領域の表面が露出するまで全面をエッチバックして前記層間絶縁膜の上面を平坦化する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, H01L 21/3205
H01L 21/30 578
, H01L 21/88 K
