特許

J-GLOBAL ID：200903028880474119

粒子位置の制御方法およびその制御方法を用いた粒子膜の製造方法および粒子膜

発明者： 中林 誠一郎
出願人/特許権者： 埼玉大学長
代理人 (1件)： 間山 進也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-352766
公開番号（公開出願番号）：特開2002-153738
出願日： 2000年11月20日
公開日（公表日）： 2002年05月28日
要約：

【要約】【課題】 鉛直方向に磁場を作用させ、磁場の強度および方向を変えて粒子の見かけの重力および浮力を制御する方法を提供するとともに、ナノメータ域の粒子を二次元に集積させた粒子膜を製造することが可能な粒子膜の製造方法および該方法により製造される粒子膜を提供する。【解決手段】 粒子を分散させた溶媒に磁場を加え、磁場の強度および方向により溶媒における粒子位置を制御する粒子位置の制御方法を用いるとともに、粒子を分散させた溶媒を基板上に塗布し、磁場の強度および方向により溶媒の液面に対する粒子位置を制御する粒子位置の制御方法を用いて溶媒を蒸発させ、粒子を二次元に集積させることを特徴とする粒子膜の製造方法を用いる。

請求項（抜粋）：

粒子を分散させた溶媒に磁場を加え、前記磁場の強度および方向により前記溶媒における粒子位置を制御する、粒子位置の制御方法。

IPC (7件)：

B01D 71/02 ,  B01J 13/00 ,  B01J 19/00 ,  C23C 20/04 ,  C23C 20/06 ,  H01F 41/16 ,  B22F 1/02

FI (7件)：

B01D 71/02 ,  B01J 13/00 Z ,  B01J 19/00 K ,  C23C 20/04 ,  C23C 20/06 ,  H01F 41/16 ,  B22F 1/02 C

Fターム (62件)：

4D006GA41 ,  4D006HA41 ,  4D006MA03 ,  4D006MC02X ,  4D006NA46 ,  4D006NA50 ,  4D006NA51 ,  4D006NA64 ,  4G065AA04 ,  4G065AB21X ,  4G065BA07 ,  4G065BB01 ,  4G065BB06 ,  4G065CA01 ,  4G065DA02 ,  4G065DA06 ,  4G065DA09 ,  4G065DA10 ,  4G065EA03 ,  4G065FA03 ,  4G075AA24 ,  4G075AA35 ,  4G075AA61 ,  4G075BB02 ,  4G075BB05 ,  4G075BD16 ,  4G075BD17 ,  4G075CA42 ,  4G075CA51 ,  4G075FB02 ,  4K018BA01 ,  4K018BA02 ,  4K018BA04 ,  4K018BA08 ,  4K018BA10 ,  4K018BA13 ,  4K018BA20 ,  4K018BC23 ,  4K018BC29 ,  4K018BD02 ,  4K018BD10 ,  4K022AA02 ,  4K022AA03 ,  4K022AA13 ,  4K022BA01 ,  4K022BA03 ,  4K022BA08 ,  4K022BA17 ,  4K022BA21 ,  4K022BA25 ,  4K022BA27 ,  4K022BA28 ,  4K022BA31 ,  4K022DA09 ,  4K022DB12 ,  4K022DB19 ,  4K022EA01 ,  4K022EA04 ,  5E049AC08 ,  5E049BA06 ,  5E049EB01 ,  5E049FC10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 磁気記録媒体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-127521   出願人：ソニー株式会社
• 金属薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-180496   出願人：高見知秀, 井野正三