特許
J-GLOBAL ID:200903028886534180

X線マスクパタン修正方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山川 政樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-263796
公開番号(公開出願番号):特開平8-124839
出願日: 1994年10月27日
公開日(公表日): 1996年05月17日
要約:
【要約】【目的】 X線露光におけるパタンの転写に影響する欠陥のみを検出し、加えて、この欠陥がマスク裏面にあるものでも表面より修正できるようにすることを目的とする。【構成】 形成されているマスクパタンは同一であるマスクA22とマスクB23を用い、これらを同一のウエハ29上にX線露光によるリソグラフィーにより転写する。そして、マスクA22で転写された転写パタン群25とマスクB23で転写された転写パタン群26とを比較する。
請求項(抜粋):
X線マスク上に形成されたマスクパタンをウエハ上に転写して転写パタンを形成し、前記転写パタンを欠陥検査し、その検査データをもとに前記X線マスクの欠陥を修正することを特徴とするX線マスクパタン修正方法。
IPC (4件):
H01L 21/027 ,  G01N 21/88 ,  G01N 23/18 ,  G03F 1/16
FI (2件):
H01L 21/30 531 M ,  H01L 21/30 502 W

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