露光方法およびそのシステム

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-059972
公開番号（公開出願番号）：特開2003-257838
出願日： 2002年03月06日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：

【要約】【課題】半導体デバイス製造の露光処理における露光条件の設定作業では、露光条件出し実験を行い、チップ内の複数パターンのフォトレジスト寸法と形状を測定し、そのデータ解析により露光エネルギーおよびフォーカス補正値の設定値を決めている。多品種小量生産の半導体デバイス製造では、品種の切り替わりが速く、露光条件出し作業の回数が増加するため、露光装置の稼働率が低減し、半導体デバイスの製造TATが増加する。【解決手段】半導体デバイスの露光条件出し実験において、チップ内1点のフォトレジスト寸法と測定結果およびレチクル回路パターンおよび半導体デバイス仕様および予め取得したフォトレジスト寸法特性情報からチップ内複数パターンの誤差が最小となるように露光条件を設定し、その露光条件を用いて露光処理を行う。

請求項（抜粋）：

半導体デバイス内の少なくとも1箇所におけるフォトレジスト寸法および形状の測定結果と半導体デバイス内の回路パターン情報と半導体デバイス仕様情報とフォトレジスト寸法特性情報とを基に、半導体デバイス内の寸法の異なる複数のフォトレジストパターンの規格からの誤差を最小とする露光エネルギーとフォーカス補正値の設定値を算出する露光条件設定工程と、該露光条件設定工程で算出されたフォーカス補正値の設定値に応じてステージ上に載置された半導体デバイスと投影光学系との間のフォーカス補正値を補正し、前記露光条件設定工程で算出された露光エネルギーの設定値に応じて照明光学系からステージ上に載置されたレチクルに形成された所定の回路パターンを照明し、該照明された所定の回路パターンを前記投影光学系により前記半導体デバイスに対して転写して露光処理する露光処理工程とを有することを特徴とする露光方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521

FI (2件)：

G03F 7/20 521 , H01L 21/30 514 E

Fターム (5件)：

5F046AA17 , 5F046BA04 , 5F046DA02 , 5F046DA14 , 5F046DB05

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