特許

J-GLOBAL ID：200903028895942305

立方晶窒化ホウ素膜の製造方法

発明者： 外崎 峰広
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-156760
公開番号（公開出願番号）：特開平11-006052
出願日： 1997年06月13日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：

【要約】【課題】真空アーク蒸着にホウ素を用いることを可能とし、これにより、立方晶窒化ホウ素(c-BN)膜を任意の基体上に単独で形成する。【解決手段】半導体ホウ素11を400〜500°C以上に加熱して抵抗率を下げ、アーク放電による真空アーク蒸着を行わせる。アーク放電の初期に発生する非荷電の溶融材料20とその後に発生するホウ素イオン19とを電磁コイル18で分離し、ホウ素イオン19のみを基体21の方向に導く。

請求項（抜粋）：

加熱した半導体ホウ素を陰極として、高真空中でアーク放電を起こさせ、前記半導体ホウ素から発生したホウ素イオンを負電位の基体表面に導き、窒素イオンの存在下で、前記ホウ素イオンを前記基体表面に付着させて、前記基体表面に実質的に立方晶系の窒化ホウ素膜を形成する、立方晶窒化ホウ素膜の製造方法。

IPC (3件)：

C23C 14/06 ,  C23C 14/24 ,  H01L 21/203

FI (4件)：

C23C 14/06 J ,  C23C 14/24 F ,  C23C 14/24 L ,  H01L 21/203 Z