特許

J-GLOBAL ID：200903028907703379

半導体成長装置およびそれによる半導体成長方法

発明者： 斎藤 淳二
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-000544
公開番号（公開出願番号）：特開平5-186292
出願日： 1992年01月07日
公開日（公表日）： 1993年07月27日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 原料ガスが分解して生成した有機物によるエピタキシャル成長層の汚染を防止し, 高純度の半導体を成長させる。【構成】 成長装置を, エピタキシャル成長中の雰囲気の圧力を10-4〜10-3Torr台に保持し, 半導体を成長させる基板41とガス噴出セル42との距離を, この圧力によって決まる原料ガスおよびその分解生成物の平均自由行程以下に設定し, かつ,ガス噴出セルに対応する開口が設けられた断熱板44をガス噴出セルと基板との間に配置した。また, 原料ガスとして, 例えば〔(CH3)3N ・GaH3〕, 〔(C2H5)3N・AlH3〕, 〔As(N(CH3)2)3〕あるいは〔(CH3)3N ・InH3〕, 〔P(N(C2H5)2)3〕のようなGaAsやInP 等の化合物半導体の構成元素のアミノ化合物を用いる。

請求項（抜粋）：

半導体が成長する基板がその内部に設置される真空容器と,該半導体を構成する成分元素の気体状化合物を含有する第1の原料ガスの供給を該真空容器の外部から受け且つそれ自身は該真空容器の内部において該基板に対向して設置されており且つ該基板に対して少なくとも該原料ガスを噴出する少なくとも一個の管状のガス噴出セルと,該ガス噴出セルと該基板との間に配置され且つ該ガス噴出セルに対応する開口が設けられた断熱板と,該基板と該噴出セルとの間の距離が前記圧力範囲における少なくとも該第1の原料ガスの分解生成物粒子の平均自由行程以下になるように該基板を保持する基板ホルダーとを備えたことを特徴とする半導体成長装置。

IPC (2件)：

C30B 23/08 ,  H01L 21/203

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特公昭41-006217
  
• 特公昭46-033414