特許

J-GLOBAL ID：200903028908700128

半導体結晶の処理方法

発明者： 鎌田 敦之 ,  吉田 博昭
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-264214
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109694
出願日： 1991年10月14日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：

【要約】【目的】 本発明はカルコゲナイド結晶の表面を平坦にでき、さらにカルコゲンが表面に付着することのないエッチング方法を提供するものである。【構成】 カルコゲナイド結晶を硫酸、過酸化水素及び水からなる溶液でエッチングした後に、二硫化炭素によって表面に付着した微量のカルコゲンをエッチングすることからなる。【効果】 カルコゲナイド結晶表面の平坦性が優れさらに表面への付着物もない清浄面がえられる。

請求項（抜粋）：

カルコゲナイド半導体結晶を、硫酸、過酸化水素、及び水を含む溶液により結晶を腐食させる工程と、この後に前記カルコゲナイド半導体結晶を二硫化炭素を含む液体中に浸す工程とを具備することを特徴とする半導体結晶の処理方法。