特許
J-GLOBAL ID：200903028915593582
半導体装置とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-092518
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291351
出願日： 1992年04月13日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：
【要約】【構成】 半導体素子16と赤外線透過性を有する配線基板間11に、高い赤外線吸収性を有する材料を含有させた熱硬化性の絶縁性樹脂14を介在させ、配線基板裏面側から赤外線50をたとえば配線基板11と同じ材質のフィルタを透過させて照射し、前期絶縁性樹脂14を硬化させて半導体素子を実装する。【効果】 本発明の半導体素子とその製造方法によれば、接続性や半導体素子特性の信頼性の優れた半導体装置が構成でき、しかも、基板の種類に限定されず、実装時間が短時間であり、生産性に優れた製造方法である。
請求項（抜粋）：
赤外線に対して透過性を有する絶縁性基板上に電極及び配線を具備した配線基板と、前記配線基板の電極を有した面と半導体素子主面との間に介在させた、前記配線基板を透過する赤外線波長領域に対して赤外線吸収性を有する熱硬化型の絶縁性樹脂と、前記半導体素子と前記配線基板に具備された電極間の電気的接続をとるように電極間に介在させた突起電極からなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/52
, H01L 23/14
