特許
J-GLOBAL ID：200903028922891157
半導体装置の実装体
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松田 正道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-139984
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321082
出願日： 1996年06月03日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：
【要約】【課題】 高温に加熱して半田を溶融して端子電極と接続する際に、熱膨張係数の大きな回路基板を用いると、接合部に応力が発生する。また、半導体装置に欠陥が発生した場合に、かなりの高温加熱が必要となり、簡単に交換することができない。【解決手段】 複数のパッド電極7が形成された半導体装置4と、複数のパッド電極7の各々に接続され、各々がその接続されたパッド電極7から所定の高さ突起する複数の突起電極5と、複数の端子電極1が形成された回路基板2と、複数の突起電極5の各々と複数の端子電極1の各々とを電気的に接続する複数の導電性の接合層3と、半導体装置4と回路基板2との間の一部に形成された補強層9と、半導体装置4と回路基板2との間の残部を封止する封止樹脂6とを備えた半導体装置の実装体。
請求項（抜粋）：
パッド型の電極であるパッド電極が複数形成された半導体装置と、前記複数のパッド電極の各々に接続され、各々がその接続されたパッド電極から所定の高さ突起する複数の突起電極と、パッド型の電極である端子電極が複数形成された回路基板と、前記複数の突起電極の各々と前記複数の端子電極の各々とを電気的に接続する複数の導電性の接合層と、第1の絶縁性樹脂であって、前記半導体装置と前記回路基板との間の一部に形成された補強層と、第2の絶縁性樹脂であって、前記半導体装置と前記回路基板との間の残部を封止する封止樹脂とを備えたことを特徴とする半導体装置の実装体。
引用特許：
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