特許
J-GLOBAL ID：200903028923851205
半導体材料表面への刻印方法及び同方法により刻印された物品
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-155186
公開番号（公開出願番号）：特開平10-004040
出願日： 1996年06月17日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】レーザビームによって半導体材料表面に文字,数字あるいはパターンを刻印すると、塵埃が発生し、半導体基板に悪影響を与える恐れがあった。【解決手段】本発明の刻印方法は、パルスレーザビームを照射して半導体材料表面にパターンを刻印する時に、半導体材料表面のレーザビーム照射面が溶融,再結晶化する過程で当該個所に微小突起部105〜107を発生させる。【効果】この結果、半導体材料表面に光が照射されると、微小突起部例えば105〜107に照射された光は、乱反射光110〜113となり、光の反射の違いにより容易に識別可能となると共に、微小突起部形成時の塵埃を防止することが出来る。
請求項（抜粋）：
パルスレーザビームを照射して半導体材料表面にパターンを刻印する方法において、パルスレーザビームを照射した半導体材料表面が溶融,再結晶化する過程で当該個所に微小突起部が発生するように、前記パルスレーザビームのエネルギーとパルス幅との少なくとも1つを制御することを特徴とする半導体材料表面への刻印方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/02 A
, B23K 26/00 B
, B23K 26/00 N
