特許

J-GLOBAL ID：200903028926175138

磁界検出素子

発明者： 菅原 宏 ,  樋熊 弘子
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 朝日奈 宗太 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-004552
公開番号（公開出願番号）：特開2000-206220
出願日： 1999年01月11日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】【課題】 動作磁界が強磁性体金属のトンネル接合素子と同等に小さく、トンネル抵抗変化率はそれよりも大きい磁界検出器を得ること。【解決手段】 ペロブスカイト型導電性酸化物磁性体電極と、強磁性体金属電極と、前記2つの電極のあいだに設置され、トンネル電流の検出と、前記2つの電極間の交換磁気結合の遮断が可能な厚さを有する絶縁膜とを備えた。

請求項（抜粋）：

ペロブスカイト型導電性酸化物磁性体電極と、強磁性体金属電極と、前記2つの電極のあいだに設置され、トンネル電流の検出と、前記2つの電極間の交換磁気結合の遮断が可能な厚さを有する絶縁膜とを備えた磁界検出素子。

IPC (2件)：

G01R 33/09 ,  H01L 43/08

FI (2件)：

G01R 33/06 R ,  H01L 43/08 M

Fターム (4件)：

2G017AA01 ,  2G017AD54 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65

引用特許：

審査官引用 (1件)

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  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-281420   出願人：眞中清助