薄膜トランジスタ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡田和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-309238
公開番号（公開出願番号）：特開平10-150202
出願日： 1996年11月20日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：

【要約】【課題】活性層となる半導体層の結晶性が向上した薄膜トランジスタを提供するとともに、半導体層の溶融結晶化または不純物活性化を効率よく行いうる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタ1は、絶縁基板上に形成された第1半導体層4と、この第1半導体層4上を覆って形成された無機絶縁膜5と、この無機絶縁膜5を介して第1半導体層4上に形成されたうえで薄膜トランジスタ1の活性層となる第2半導体層6とを備えている。本発明に係る薄膜トランジスタ1の製造方法は、第1半導体層4と無機絶縁膜5と第2半導体層6とを絶縁基板2上に順次積層して形成する工程と、第2半導体層6の上方からレーザ光14,16を照射して第2半導体層6を溶融結晶化または不純物活性化する工程とを含んでいる。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に形成された第1半導体層と、この第1半導体層上を覆って形成された無機絶縁膜と、この無機絶縁膜を介して前記第1半導体層上に形成されたうえで薄膜トランジスタの活性層となる第2半導体層とを備えていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20 , H01L 21/268

FI (3件)：

H01L 29/78 627 G , H01L 21/20 , H01L 21/268 F

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