特許
J-GLOBAL ID：200903028928320062
強誘電体薄膜の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 栄男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-162534
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005947
出願日： 1992年06月22日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：
【要約】【目的】 理想ゾル溶液を白金膜の優れた配向性を受継いだ状態で焼結させることのできる強誘電体薄膜の製造方法を提供する。【構成】 白金膜7の上面に設けられるPZT薄膜9のゾル・ゲル法を用いた製造方法において、理想ゾル溶液Q及びゾル溶液Tの組成を調整するとともに、白金膜7上にゾル溶液Tを焼結させることにより白金膜7の配向性を受継いだPZT成膜9dを形成する。このPZT成膜9dの格子間距離は焼結状態の理想ゾル溶液Qが有する格子間距離に近似にするから、PZT成膜9dの優れた配向性(白金膜7の配向性)を受継いだ状態で理想ゾル溶液Qを焼結させることができる。
請求項（抜粋）：
<111>配向の白金膜上面にゾル・ゲル法を用いて強誘電体薄膜を形成する方法であって、強誘電体薄膜を複数の強誘電体成膜に分けて形成するとともに、最上層の強誘電体成膜と白金膜との間に少なくとも一層の中間層を設け、前記白金膜から上の層へすすむに従い、下地の結晶配向性を受継ぐことのできる範囲で格子間距離を順次変えて、焼成により優れた強誘電性を示す組成を有する理想ゾル溶液を用いて最上層の強誘電体成膜を形成する、ことを特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 41/24
, C04B 35/49
, H01L 27/04
, H01L 27/108
H01L 41/22 Z
, H01L 27/10 325 J
