特許
J-GLOBAL ID：200903028933960754
窒化物単結晶の製造方法およびその製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
,
代理人 (4件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-078419
公開番号（公開出願番号）：特開2004-284870
出願日： 2003年03月20日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：
【課題】昇華法により窒化物単結晶を製造する際に、得られる単結晶に欠陥がなく、良質で、大口径の単結晶が効率よく製造できるようにすることにある。【解決手段】昇華法により種結晶7上に窒化物単結晶を成長させる製造方法において、種結晶7の温度が結晶成長最適温度になるまでは、種結晶7に昇華ガスが接しないようにする。具体的には、種結晶7を覆うプランジャー10を設けて、種結晶7の温度が結晶成長最適温度になるまでは、種結晶7に昇華ガスが接しないようにし、結晶成長最適温度になった後はプランジャー10を退避させて種結晶に昇華ガスが接するようにする。あるいは、種結晶を覆うシャッターを設け、種結晶の温度が結晶成長最適温度になるまでは、種結晶に昇華ガスが接しないようにし、結晶成長最適温度になった後はシャッターを開いて種結晶に昇華ガスが接するようにする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
昇華法により種結晶上に窒化物単結晶を成長させる製造方法において、種結晶の温度が結晶成長最適温度になるまでは、種結晶に昇華ガスが接しないようにすることを特徴とする窒化物単結晶の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (14件)：
4G077AA02
, 4G077BE11
, 4G077BE13
, 4G077BE15
, 4G077DA02
, 4G077DA18
, 4G077EA02
, 4G077EE09
, 4G077EG24
, 4G077EG25
, 4G077SA01
, 4G077SA04
, 4G077SA06
, 4G077SA11
