特許

J-GLOBAL ID：200903028934112471

セラミック電子部品

発明者： 斉藤 芳則 ,  川端 和昭 ,  平田 朋孝 ,  加藤 貴也 ,  関堂 宏
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 岡田 全啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-200853
公開番号（公開出願番号）：特開2004-128470
出願日： 2003年07月24日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：

【課題】セラミックで形成された基体の端面に形成された焼付け電極上に、良好にめっき電極が形成され、かつめっき液による特性劣化のないセラミック電子部品を得る。【解決手段】積層セラミックコンデンサ10は、誘電体セラミック層14と内部電極層16とからなる基体12を含む。基体12の端面に、第1の焼付け電極20、第2の焼付け電極22、第1のめっき電極24、第2のめっき電極24からなる外部電極18を形成する。第1の焼き付け電極20は、固形分として金属粉末とガラスフリットとSiO2 とを含み、前記SiO2 の含有量は固形分100重量%のうち0.5〜3重量%である導電ペーストを840°C以上で焼き付けることによって形成する。第2の焼付け電極22は、金属粉末とガラスフリットとを含む導電ペーストを840°C未満で焼き付けることにより形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

セラミックで形成された基体、 前記基体の端面に形成される第1の焼付け電極、 前記第1の焼付け電極上に形成される第2の焼付け電極、および 前記第2の焼付け電極上に形成されるめっき電極を含み、 前記第1の焼付け電極は、固形分として金属粉末とガラスフリットとSiO2 とを含み、前記SiO2 の含有量は固形分100重量%のうち0.5〜3重量%である導電ペーストを前記基体の外面に塗布して焼き付けたものであり、 前記第2の焼付け電極は、金属粉末とガラスフリットとを含む導電ペーストを前記第1の焼付け電極上に塗布して焼き付けたものであって、 前記第1の焼付け電極の焼付け温度が840°C以上であり、 前記第2の焼付け電極の焼付け温度が840°C未満であることを特徴とする、セラミック電子部品。

IPC (2件)：

H01G4/12 ,  H01G4/252

FI (3件)：

H01G4/12 352 ,  H01G4/12 361 ,  H01G1/14 C

Fターム (8件)：

5E001AB03 ,  5E001AC04 ,  5E001AF00 ,  5E001AH01 ,  5E001AH07 ,  5E001AH08 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 多層セラミックチップ型コンデンサ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-112075   出願人：ローム株式会社
• 導電ペースト及びセラミック電子部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-063389   出願人：株式会社村田製作所