特許
J-GLOBAL ID：200903028936009902
保護膜のパターニング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-276424
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090256
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】【目的】 化合物半導体基板が損傷しない保護膜のパターニング方法を提供する。【構成】 第1の工程においてGaAs基板10上に形成されるGaN保護膜20にInを照射してパターン部を形成し、第2の工程においてGaN保護膜20を600°C〜650°Cの温度で加熱してパターン部が形成されたGaN保護膜20を除去する。
請求項（抜粋）：
化合物半導体から成る基板上に形成されるGaNから成る保護膜にGaおよびInのうち少なくとも一方を照射してパターン部を形成する第1の工程と、前記保護膜を600°C〜650°Cの温度で加熱して前記パターン部が形成された前記保護膜を除去する第2の工程とを有することを特徴とする保護膜のパターニング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/318
, H01L 21/203
, H01L 21/302
