特許

J-GLOBAL ID：200903028938979747

半導体中空パッケージ

発明者： 續山 浩二 ,  河野 恭幸
出願人/特許権者： 三井化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-009487
公開番号（公開出願番号）：特開2003-218249
出願日： 2002年01月18日
公開日（公表日）： 2003年07月31日
要約：

【要約】【課題】 製造工程を複雑化すること無く、高周波集積回路内部での電磁波ノイズを解決し、安定に動作する高周波集積回路を提供する。【解決手段】 半導体素子を搭載するパッケージ本体(1h)と、パッケージ本体上に搭載された半導体素子(1e)と、半導体素子を保護するリッドで覆われた半導体中空パッケージにおいて、前記リッドが金属(1a)と電波吸収材料(1b)とを貼り合わせた複合体からなり、該複合体の電波吸収材料側が半導体素子に対向するように取り付けられることを特徴とする半導体中空パッケージが提供される。

請求項（抜粋）：

半導体素子を搭載するパッケージ本体と、パッケージ本体上に搭載された半導体素子と、半導体素子を保護するリッドで覆われた半導体中空パッケージにおいて、前記リッドが金属と電波吸収材料とを貼り合わせた複合体からなり、該複合体の電波吸収材料側が半導体素子に対向するように取り付けられることを特徴とする半導体中空パッケージ。

IPC (8件)：

H01L 23/00 ,  C08G 59/40 ,  C08K 3/00 ,  C08K 7/00 ,  C08L 63/00 ,  H01L 23/06 ,  H01L 23/02 ,  C08L 91:06

FI (9件)：

H01L 23/00 C ,  C08G 59/40 ,  C08K 3/00 ,  C08K 7/00 ,  C08L 63/00 C ,  H01L 23/06 C ,  H01L 23/02 H ,  H01L 23/02 J ,  C08L 91:06

Fターム (44件)：

4J002AE032 ,  4J002CC03X ,  4J002CD04W ,  4J002CD05W ,  4J002CD06W ,  4J002CE00X ,  4J002DC007 ,  4J002DE108 ,  4J002DE148 ,  4J002DE238 ,  4J002DJ007 ,  4J002DJ008 ,  4J002DJ018 ,  4J002DJ038 ,  4J002DJ048 ,  4J002DJ058 ,  4J002DK007 ,  4J002DL008 ,  4J002ET016 ,  4J002EU116 ,  4J002EU136 ,  4J002EW016 ,  4J002FA017 ,  4J002FA088 ,  4J002FA108 ,  4J002FD018 ,  4J002FD090 ,  4J002FD130 ,  4J002FD14X ,  4J002FD156 ,  4J002FD162 ,  4J002FD207 ,  4J002GG01 ,  4J002GQ00 ,  4J036AA01 ,  4J036DA01 ,  4J036DA02 ,  4J036DA05 ,  4J036DC25 ,  4J036FA01 ,  4J036FA02 ,  4J036FA13 ,  4J036FB18 ,  4J036JA15

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-295206
  
• エポキシ樹脂組成物及びそれを用いた封止剤
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-086199   出願人：三井化学株式会社
• シリカ質粉末及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-072858   出願人：神谷秀博, 電気化学工業株式会社
• 特開平3-295206