特許

J-GLOBAL ID：200903028941777810

熱電半導体焼結素子の製造方法及び熱電半導体焼結素子

発明者： 田 内 比登志 ,  堀 智 ,  戎 森 一 雄
出願人/特許権者： アイシン精機株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-210287
公開番号（公開出願番号）：特開平10-056210
出願日： 1996年08月08日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】【課題】 熱電特性が向上した熱電半導体焼結素子を製造すること。【解決手段】 熱電半導体結晶を粉末化する粉末化工程と、前記粉末化工程により粉末化された前記熱電半導体結晶粉末を加熱しつつ押し出して熱電半導体焼結体を成形する熱間押出工程と、前記熱間押出工程により押し出された熱電半導体焼結体を切断して熱電半導体焼結素子を成形する切断工程と、を備えることを特徴とする熱電半導体焼結体の製造方法としたこと。

請求項（抜粋）：

熱電半導体結晶を粉末化する粉末化工程と、前記粉末化工程により粉末化された前記熱電半導体結晶粉末を加熱しつつ押し出して熱電半導体焼結体を成形する熱間押出工程と、前記熱間押出工程により押し出された熱電半導体焼結体を切断して熱電半導体焼結素子を成形する切断工程と、を備えることを特徴とする熱電半導体焼結体の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 35/34 ,  H01L 35/16 ,  B22F 3/20

FI (3件)：

H01L 35/34 ,  H01L 35/16 ,  B22F 3/20 A