特許
J-GLOBAL ID：200903028946747359
多層配線基板およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-035325
公開番号（公開出願番号）：特開平11-317582
出願日： 1999年02月15日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：
【要約】【課題】 内層に複数の配線層を有する多層配線基板において、微細な端子ピッチを有するLSIのベアチップを配線基板上に直接実装するためにはベアチップ実装領域の配線密度を高密度化しなければならず、一つの配線基板上に通常密度の配線パターンと高密度配線パターンを混在させることになり、配線基板全体の生産歩留まりが著しく低下するという課題を解決する。【解決手段】 第1のインナバイヤホール導体14によって電気的に接続されている配線層13を備え、かつ凹部15が設けられているマザー配線基板11と、高密度に形成されたランド17を備えたキャリヤ配線基板16とを別々の工程で作成し、後工程においてマザー配線基板11の凹部15内にキャリヤ配線基板16を埋め込んで互いに電気的に接続された構造を有する。
請求項（抜粋）：
表面に形成された配線および内部に形成された複数の配線層と、前記配線層間を電気的に接続するインナバイヤホール導体を備え、かつその表面に少なくとも1個の凹部が設けられたマザー配線基板の前記凹部に、キャリヤ配線基板が埋め込まれて前記マザー配線基板と前記キャリヤ配線基板とが電気的に接続されている多層配線基板。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H05K 3/46 Q
, H05K 3/46 N
, H05K 1/14 B
