3-5族化合物半導体

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：久保山隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-271399
公開番号（公開出願番号）：特開2000-100735
出願日： 1998年09月25日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】特定の欠陥を含む一般式In<SB>x</SB>Ga<SB>y</SB>Al<SB>z</SB>N(x+y+z=1、0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1)で表される、発光素子として好適に用いられる3-5族化合物半導体を提供する。【解決手段】〔1〕ループ状転位を1×10<SP>9</SP>cm<SP>-2</SP>以上1×10<SP>10</SP>cm<SP>-2</SP>以下含む一般式In<SB>x</SB>Ga<SB>y</SB>Al<SB>z</SB>N(x+y+z=1、0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1)で表される3-5族化合物半導体。〔2〕前記〔1〕に記載の3-5族化合物半導体が、これよりバンドギャップの大きな一般式In<SB>p</SB>Ga<SB>q</SB>Al<SB>r</SB>N(p+q+r=1、0≦p≦1、0≦q≦1、0≦r≦1)で表される3-5族化合物半導体と同じくバンドギャップの大きなIn<SB>s</SB>Ga<SB>t</SB>Al<SB>u</SB>N(s+t+u=1、0≦s≦1、0≦t≦1、0≦u≦1)で表される3-5族化合物半導体とに接して挟まれてなる3-5族化合物半導体。

請求項（抜粋）：

ループ状転位を1×10<SP>9</SP>cm<SP>-2</SP>以上1×10<SP>10</SP>cm<SP>-2</SP>以下含むことを特徴とする一般式In<SB>x</SB>Ga<SB>y</SB>Al<SB>z</SB>N(x+y+z=1、0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1)で表される3-5族化合物半導体。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , H01L 21/20 , H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 21/205 , H01L 21/20 , H01L 33/00 C

Fターム (19件)：

5F041AA03 , 5F041CA04 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC01 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC12 , 5F045AF09 , 5F045CA11 , 5F045DA53 , 5F052GC06 , 5F052JA10 , 5F052KA02 , 5F052KA05

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