特許
J-GLOBAL ID：200903028950653032
波長可変面発光半導体レーザ素子
発明者：
出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
井上 満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-076254
公開番号（公開出願番号）：特開平9-270556
出願日： 1996年03月29日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：
【要約】【課題】 小型で、しきい値電流が増加することのない、広範囲にわたり発振波長を変化させ、制御することが可能な波長可変面発光半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】 半導体基板1上に積層された活性層4を挟む上下二つの反射膜9、10から構成されたファブリ・ペロー共振器を有し、半導体基板1と垂直方向に出射する面発光半導体レーザ素子であって、前記二つの反射膜9、10のうちの一方の反射膜10はカンチレバー構造をなし、該カンチレバー構造は反射膜10上に2層の圧電膜15、16を形成してなり、前記2層のそれぞれの圧電膜15、16に印加する印加電圧を制御して共振器長を変え、発振波長を変化させる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に積層された活性層を挟む上下二つのミラーから構成されたファブリ・ペロー共振器を有し、半導体基板と垂直方向に出射する面発光半導体レーザ素子であって、前記二つのミラーのうちの一方のミラーはカンチレバー構造をなし、該カンチレバー構造は反射膜上に2層の圧電膜を形成してなり、前記2層のそれぞれの圧電膜に印加する印加電圧を制御して共振器長を変え、発振波長を変化させることを特徴とする波長可変面発光半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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