特許

J-GLOBAL ID：200903028954006686

半導体コンデンサ

発明者： ロバート・エドウィン・ジョーンズ・ジュニア
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 本城 雅則 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-141264
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163821
出願日： 1993年05月21日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】 半導体に用いるための、基板上の面積の小さいコンデンサ構造を提供する。【構成】 メモリ素子10に用いられるコンデンサである。トランジスタが基板10の上に形成される。そのトランジスタには第1電流電極16および第2電流電極18がある。電流電極16,18はチャネル領域によって分離される。ゲート電極26がこのチャネル領域の上に形成され、ゲート誘電層24によってこのチャネル領域から物理的に分離される。プラグ領域32が電極16の上にこれと電気的に接続して形成される。環状の高誘電率をもつ誘電領域33がトランジスタの上に形成され、高誘電率をもつ誘電層36から形成される。第1コンデンサ電極は導伝領域38"により形成され、第2コンデンサ電極は導伝領域38'により形成される。素子10は、環状の高誘電率をもつ領域33の種々の特性により、不揮発性メモリ素子またはDRAM素子として形成することができる。

請求項（抜粋）：

半導体コンデンサ(38’,38”,36)であって:基板(12);前記基板上に形成された、環状の高誘電率をもつ誘電領域(36)であって、前記環状の高誘電率をもつ誘電領域は、内側の側壁(37)および外側の側壁(35)とを有する前記誘電領域;前記環状の高誘電率をもつ誘電領域の前記内側の側壁に隣接して形成された第1コンデンサ電極(38”);および前記環状の高誘電率をもつ誘電領域の前記外側の側壁に隣接して形成された第2コンデンサ電極(38’);から構成されることを特徴とする半導体コンデンサ。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01G 4/06 102 ,  H01G 4/40