特許
J-GLOBAL ID：200903028954261406
多層配線基板、及びこれを用いた半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-233658
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094621
出願日： 1993年09月20日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】インダクタンスの小さい多層配線基板及びこれを用いた半導体装置を提供する。【構成】セラミック材料からなる複数の絶縁層と、導電体材料からなる複数の配線層とを交互に積層して形成された多層配線基板であって、前記配線層は、間に絶縁層を介して第1の電源層と第2の電源層とを含み、第1の電源層上に存在する絶縁層を貫通して設けられ、一端において第1の電源層に接続され、他端において基板表面に到達する複数の第1のビアと、第2の電源層上に存在する絶縁層を貫通して設けられ、一端において第2の電源層に接続され、他端において基板表面に到達するビアとが、基板表面全域において交互に配置されたビア群を構成し、基板中心部におけるビア群の密度は、基板周辺部におけるビア群の密度より大きいことを特徴とする多層配線基板、及びこの基板上に有機薄膜多層配線を形成して半導体素子を実装した半導体装置である。
請求項（抜粋）：
セラミック材料からなる複数の絶縁層と、導電体材料からなる複数の配線層とを交互に積層して形成された多層配線基板であって、前記配線層は、間に絶縁層を介して第1の電源層と第2の電源層とを含み、第1の電源層上に存在する絶縁層を貫通して設けられ、一端において第1の電源層に接続され、他端において基板表面に到達する複数の第1のビアと、第2の電源層上に存在する絶縁層を貫通して設けられ、一端において第2の電源層に接続され、他端において基板表面に到達する複数の第2のビアとが、基板表面全域において交互に配置されたビア群を構成し、基板中心部におけるビア群の密度は、基板周辺部におけるビア群の密度より大きいことを特徴とする多層配線基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/12 N
, H01L 23/12 Q
