特許

J-GLOBAL ID：200903028959628707

不揮発性メモリの記憶システム

発明者： 福島 和彦
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ ,  株式会社ルネサスLSIデザイン
代理人 (4件)： 村上 啓吾 ,  大岩 増雄 ,  児玉 俊英 ,  竹中 岑生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-214966
公開番号（公開出願番号）：特開2004-055098
出願日： 2002年07月24日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：

【課題】データ消失の原因となるトンネル酸化膜等の劣化を生ぜしめずに、不揮発性メモリのデータ保持期間を延ばすことを目的とする。【解決手段】追加書き込み可能な不揮発性メモリを搭載した記憶システムにおいて、不揮発性メモリには記憶データと共に誤り訂正機能を有するエラーチェックコードを付加し、システムの電源起動時にエラーチェックコードにより不揮発性メモリ内のエラーチェックを行い、訂正可能な誤りを発見したらエラー訂正を追加書き込みで行う。また、エラーチェックコードの発生及びエラーチェックをハードウエア構成で行う。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

追加書き込み可能な不揮発性メモリを搭載した記憶システムにおいて、 不揮発性メモリには記憶データと共に誤り訂正機能を有するエラーチェックコードが付加され、 電源起動時にエラーチェックコードにより不揮発性メモリ内のエラーチェックを行うエラーチェック手段と、 訂正可能な誤りを発見したらエラー訂正を追加書き込みで行う追加書き込み手段を備えた不揮発性メモリの記憶システム。

IPC (6件)：

G11C29/00 ,  G06F12/16 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

FI (4件)：

G11C29/00 631Q ,  G06F12/16 320F ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371

Fターム (38件)：

5B018GA02 ,  5B018HA15 ,  5B018KA21 ,  5B018NA06 ,  5B018QA11 ,  5B018RA04 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083EP42 ,  5F083EP62 ,  5F083EP68 ,  5F083ER02 ,  5F083ER03 ,  5F083ER05 ,  5F083ER14 ,  5F083ER15 ,  5F083ER16 ,  5F083ER21 ,  5F083ER22 ,  5F083GA21 ,  5F083LA03 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA06 ,  5F083LA10 ,  5F101BA02 ,  5F101BA24 ,  5F101BA35 ,  5F101BB05 ,  5F101BC01 ,  5F101BC11 ,  5F101BD09 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5L106AA10 ,  5L106BB12 ,  5L106EE02