光半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-314226
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135833
出願日： 1997年10月30日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：

【要約】【課題】オーミック接触電極の形状によらず、外部発光効率を向上させることができる光半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板上に発光素子層が積層された光半導体装置であって、基板と発光素子層との間に、反射層を備える。この反射層は、基板がIII-V族化合物半導体の場合、II-VI族化合物半導体を含む積層膜であり、かつ所望の膜厚が選択される。

請求項（抜粋）：

半導体単結晶基板上に発光素子層が積層され、該発光素子層に接続する少なくとも1対の電極を備えた光半導体装置において、前記基板と前記発光素子層との間に、該発光素子層から放出された光を、発光素子層側に反射する反射層を備えたことを特徴とする光半導体装置。

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