特許

J-GLOBAL ID：200903028962377642

太陽電池素子の製造方法及び太陽電池素子の製造装置並びに太陽電池素子

発明者： 石原 隆 ,  出口 幹雄
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-275263
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104466
出願日： 1992年09月17日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：

【要約】【目的】 耐熱支持基板上に半導体薄膜活性層を備えた薄膜太陽電池素子を、基板,半導体薄膜活性層,表面電極,及び光反射膜形成までを一貫ラインとして製造する。【構成】 太陽電池素子を構成する基板,半導体薄膜活性層,並びに表面電極,及び光反射防止膜を、それぞれの構成材料をプラズマ溶射するプラズマ溶射装置により、順次連続的に母材上にプラズマ溶射して形成し、溶射工程完了後に母材より剥離することにより太陽電池素子を作製するようにした。【効果】 一貫ラインのプラズマ溶射装置により太陽電池素子を作製するので、工程が簡略化でき、大量生産が容易にできる。

請求項（抜粋）：

放電により生成されるプラズマジェットを用いて原料粉末を溶融し膜を堆積する、プラズマ溶射法により、母材上に太陽電池の支持板となる基板を作製する第1の工程、前記プラズマ溶射法により前記基板上に第一導電型の半導体膜を作製する第2の工程、前記プラズマ溶射法により前記第一導電型の半導体膜上に第二導電型の半導体膜を作製する第3の工程、前記プラズマ溶射法により前記第二導電型の半導体膜上の所望位置に表面電極膜を作製する第4の工程、前記プラズマ溶射法により前記第二導電型の半導体膜上に光反射防止膜を作製する第5の工程、前記母材から前記第1ないし第5の工程により作製した素子を剥離する第6の工程を含むことを特徴とする太陽電池素子の製造方法。