特許
J-GLOBAL ID：200903028966142194
MIS型トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-305712
公開番号（公開出願番号）：特開平5-003322
出願日： 1991年10月25日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：
【要約】【構成】 チャネル部を有する第1導伝型半導体層と、チャネル部をはさんで対向するソース部およびドレイン部を形成する第2導伝型不純物領域と、チャネル部にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを備えたMIS型電界効果トランジスタにおいて、チャネル部と前記ソース部とが互いに異なる半導体エネルギーギャップを有していることを特徴とする。【効果】 ソース・チャネル間で正孔の移動が円滑に行われ、良好な飽和特性と高いソース・ドレイン耐圧が得られる。
請求項（抜粋）：
第1の絶縁基板上に形成された、第1導伝型の第1種半導体材料をチャネル部とし、該チャネル部を挟んで、第2導伝型のソース・ドレイン領域と、上記チャネル部の一主表面上に第2絶縁膜を介してゲート電極を有するMIS型トランジスタにおいて、少なくとも上記ソース部が、上記第1種半導体材料と、該第1種半導体材料のエネルギーバンドギャップより小さい第2種半導体材料とからなり、かつ上記第1種半導体材料と第2種半導体材料とのヘテロ接合部が、前記ソースとチャネルとの接合部に形成される空乏層領域外で、なおかつ該空乏端から拡散長Ld以内に設けられていることを特徴とするMIS型トランジスタ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 311 X
, H01L 29/78 311 B
