特許

J-GLOBAL ID：200903028967191652

枚葉式反応器を使用した、インサイチュ・ド-ピングされたきめの粗い多結晶シリコンの製法

発明者： ロバート ワイ.ツ ,  青山 真太郎 ,  安藤 敏夫
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-233881
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114250
出願日： 1999年08月20日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】 従来の製造技術に係る欠点及び問題点を事実上解消、軽減する半導体メモリデバイス記憶装置の中で使用される多結晶シリコンの製法を提供する。【解決手段】 きめの粗い多結晶シリコンの核形成及び成長を生じる所定の温度条件及び所定の圧力条件の下、枚葉式化学蒸着チャンバ内でインサイチュ・ドーピングされるきめの粗い多結晶シリコンを基体上に蒸着することからなる、きめの粗い多結晶シリコンを生成する方法であって、この蒸着は、枚葉式反応器にSiH4を流入させ;該SiH4の流入と実質的に同時に枚葉式反応器中にPH3を流入させ;次いで、これらSiH4及びPH3の流入と実質的に同時に枚葉式反応器内にH2を流入させる;諸工程を含む、上記方法。

請求項（抜粋）：

きめの粗い多結晶シリコンの核形成及び成長を生じる所定の温度条件及び所定の圧力条件の下、枚葉式化学蒸着チャンバ内でインサイチュ・ドーピングされるきめの粗い多結晶シリコンを基体上に蒸着することからなる、きめの粗い多結晶シリコンを生成する方法であって、この蒸着は枚葉式反応器にSiH4を流入させ、該SiH4の流入と実質的に同時に枚葉式反応器中にPH3を流入させ、次いでこれらSiH4及びPH3の流入と実質的に同時に枚葉式反応器内にH2を流入させる、諸工程を含む、上記方法。