金属シリサイド膜の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-319783
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129225
出願日： 1991年11月07日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】本発明は、単結晶シリコン基板に酸素をイオン注入してからシリサイド化する。またはシリサイド化反応によって金属シリサイドを形成した後金属シリサイドに酸素をイオン注入して、酸素を含む金属シリサイド膜を形成することにより、耐熱性とバリヤ性に優れた金属シリサイド膜の形成を可能にする。【構成】単結晶シリコン基板11に酸素をイオン注入した後、単結晶シリコン基板11の表面を覆う状態にシリサイド化する金属膜13を成膜し、その後熱処理して酸素を含む金属シリサイド膜14を生成する。あるいは、単結晶シリコン基板11上にシリサイド化する金属膜(図示せず)を成膜した後、熱処理して金属シリサイド膜(図示せず)を生成し、その後当該金属シリサイド膜中に酸素をイオン注入して、酸素を含む金属シリサイド膜を形成する。

請求項（抜粋）：

単結晶シリコン基板に酸素をイオン注入する第1の工程と、前記単結晶シリコン基板の表面を覆う状態に金属シリサイドを形成する金属膜を成膜する第2の工程と、前記各処理を行った基板を熱処理することにより、前記酸素を含む単結晶シリコン基板と前記金属膜とを反応させて酸素を含む金属シリサイド膜を生成する第3の工程とによりなる金属シリサイド膜の形成方法。

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平3-080542
特開平4-025123
特開平4-032225

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