半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮田金雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-335862
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153300
出願日： 1995年11月29日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：

【要約】【課題】内部発生電位を外部からモニタすることはできるがコントロールできない。【解決手段】モード検出回路と電位制御回路と電位発生回路を設け外部入力信号に応答して所定のモードであることを検出し、所定のモード時に所定のピンから与えられる電位に応じて電位発生回路に活性化または非活性化が指示され、発生電位を供給、また供給停止をおこなって発生電位をコントロールすることができる。

請求項（抜粋）：

外部入力信号に応答して第一のモードになったことを示すモード検出信号を出力するモード検出回路と電位制御信号を受け前記電位制御信号が活性を指示すると出力ノードに電位を供給するとともに、前記電位制御信号が非活性を指示すると電位の供給を中断する電位発生回路、前記モード検出信号および前記出力ノードの電位を受け、前記検出信号が第一のモードと異なる第二のモードになったことを示すとき、前記出力ノードの電位が所定のレベルに達すると、非活性を指示し、前記検出信号が第一のモードになったことを示すと前記出力ノードの電位が外部から与えられる外部基準電位に応じたレベルにになると非活性を指示す前記電位制御信号を前記電位発生回路に出力する電位制御回路を備える半導体装置。

IPC (5件)：

G11C 29/00 303 , G01R 31/28 , G06F 11/22 310 , G11C 11/413 , G11C 11/401

FI (5件)：

G11C 29/00 303 B , G06F 11/22 310 L , G01R 31/28 V , G11C 11/34 341 D , G11C 11/34 371 A

引用特許：

審査官引用 (1件)

ヒューズ・プログラマブル降圧回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-312237 出願人：日鉄セミコンダクター株式会社, ユナイテッドメモリーズインコーポレイテッド

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