特許

J-GLOBAL ID：200903028971033549

可変減衰器

発明者： 渡辺 伸
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-213181
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054709
出願日： 1997年08月07日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】 半導体基板に形成した可変減衰器に関し、超高周波帯に於ける集積回路化可能の可変減衰器を提供する。【解決手段】 半導体基板10に不純物を拡散して形成した抵抗領域12Aを形成し、超高周波信号が伝搬する信号線路16,17に抵抗領域12Aを接続し、抵抗領域12Aの両端に直流電圧DCを印加して、超高周波信号に対する減衰量を制御する電圧印加手段とを備え、低雑音増幅器11や周波数変換器13と共に可変減衰器12として集積回路化する。

請求項（抜粋）：

半導体基板に不純物を拡散して形成した抵抗領域と、前記半導体基板上に形成し、且つ前記抵抗領域の両端に接続した超高周波信号が伝搬する信号線路と、前記抵抗領域による超高周波信号に対する減衰量を制御する直流電圧を、前記抵抗領域の両端に印加する電圧印加手段とを備えたことを特徴とする可変減衰器。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01P 1/22

FI (3件)：

H01L 27/04 R ,  H01P 1/22 ,  H01L 27/04 D