特許

J-GLOBAL ID：200903028971729381

化学蒸着(CVD)による基板上への共役置換又は共役非置換ポリ(p-フェニレンビニレン)フィルムの製造方法及びエレクトロルミネセンス(EL)装置の製造方法

発明者： スターリング アエミリアヌス フラダス ヨハヌス ,  ブルール ディルク イァン ,  デマンド ロベルト ヨゼフ カタリーナ エミエル
出願人/特許権者： フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-529490
公開番号（公開出願番号）：特表平9-500929
出願日： 1995年05月10日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】CVD方法により、簡易なモノマーを用いて共役ポリ(p-フェニレンビニレン)の薄膜を製造する方法である。かかるポリマーは特に、エレクトロルミネセンス装置、例えば発光ダイオード中の活性層として適切に使用することができる。

請求項（抜粋）：

ポリマーは次の一般式 (式中Rは、H,C1〜C5アルキル基又はアルコキシ基及びCNから成る群より選ばれ、m=1〜4、n=10〜100,000を示す)で表わされ、次の連続工程: a.次の一般式 (式中R1及びR2はハロゲン原子を示し、R及びmは上記と同様である)で表わされる少なくとも1種のモノマー化合物を、第1加熱帯中約50°C〜約250°Cの温度で蒸発させ、 b.蒸発させたモノマー化合物を、約500°C〜約900°Cの温度で第2加熱帯を通過させて移送し、これにより共役先駆体を形成し、 c.工程bの先駆体を温度500°C以下の温度で基板が設置されている第3加熱帯に移送し、これにより基板上に一般式(I)のポリマーのフィルムを形成する工程を含むことを特徴とする化学蒸着(CVD)による基板上への共役置換若しくは共役非置換ポリ(p-フェンレンビニレン)フィルムの製造方法。

IPC (4件)：

C08G 61/02 NLF ,  C08J 5/18 CEZ ,  H01L 33/00 ,  H05B 33/14

FI (4件)：

C08G 61/02 NLF ,  C08J 5/18 CEZ ,  H01L 33/00 A ,  H05B 33/14

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-225622
  
• 特開平1-234426