特許

J-GLOBAL ID：200903028982142170

薄膜半導体の製造方法

発明者： 久保田 健 ,  時岡 秀忠
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-217421
公開番号（公開出願番号）：特開平9-063950
出願日： 1995年08月25日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】 非晶質半導体薄膜をレーザアニールするのにレーザの一ショット内やショット間の強度分布によって表示むらとして視認されてしまう。【解決手段】 アニール領域を複数のライン状領域に分割し、細線状に成形したパルスレーザまたはライン状走査されるCWレーザによって隣接する上記ライン状領域が連続してレーザ光照射されない場合を少なくとも有する照射順序で上記アニール領域をアニールする。その際、ライン状領域をアニール領域の一端部から数えて奇数番目のライン状領域と偶数番目のライン状領域の二つのグループに分け、一方の上記グループを上記一端部から他端部まで順番にアニールし、続けて他方の上記グループをアニールする。また、レーザ照射部の照射ピッチを0より大きく50μm以下とする。

請求項（抜粋）：

基板上に堆積させた非晶質半導体薄膜にレーザ光を照射してアニールする薄膜半導体の製造方法において、上記アニール領域を複数のライン状領域に分割し、細線状に成形したパルスレーザまたはライン状走査されるCWレーザによって離れた位置にある上記ライン状領域を連続してレーザ光照射する場合を少なくとも有する照射順序で上記アニール領域をアニールすることを特徴とする薄膜半導体の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/268 B ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 627 G