特許
J-GLOBAL ID：200903028982654022
エピタキシャルウエーハ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 亮一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-279515
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139033
出願日： 1994年11月14日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 低抵抗品における生産性の低下や、研磨面における品質上の悪化を回避すると同時に、標準的な抵抗品に対しても適用が可能であり、しかもその生産性や製造コストを大幅に改善させることが可能な、エピタキシャルウエーハとその製造方法の提供を目的とする。【構成】 1次鏡面研磨のみを施したシリコン単結晶ウエーハ主表面の面粗さが、原子間力顕微鏡による1μm×1μm測定面積における面粗さのRMS表示で、1.2nm以下である鏡面研磨面上に、シリコンのエピタキシャル層を気相成長せしめたエピタキシャルウエーハ。
請求項（抜粋）：
1次鏡面研磨のみを施したシリコン単結晶ウエーハ主表面に、シリコンのエピタキシャル層を気相成長せしめたことを特徴とするエピタキシャルウエーハ。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C30B 25/02
, C30B 29/06 504
